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IXTK 75N30
140
Fig. 7. Input Admittance
120
Fig. 8. Transconductance
120
100
80
100
80
T J = -40oC
25oC
125oC
60
40
20
0
T J = -40oC
25oC
125oC
60
40
20
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
30
60
90
120
150
180
200
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
175
150
125
100
8
6
V DS = 150V
I D =37.5A
I G = 10mA
75
50
25
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
40
80
120
160
200
240
V SD - Volts
Q G - nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
C iss
f = 1M Hz
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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